1)半導體熔煉加熱對象規格
硅、鍺等半導體材料
2)半導體熔煉設備配置
固態高頻感應加熱電源
單機功率30kW~100 kW
3)半導體熔煉工藝特點
♦ 設備體積小、使用壽命長、維護費用低、高效節能
♦ 恒功率或溫度閉環控制,提純精度高
♦ 與電子管設備相比可以節電60%以上,故障率下降80%以上
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